1) 3D DRAM: 3D DRAM의 경우 적층의 방식이 Si/SiGe Epitaxy 등을 이용한 단결정 적층 방식이 될 가능성이 높다. Si/SiGe Selective Etching은 HF/H2O2/CH3COOH를 이용한 Wet Etching 방식이 유력하다. HF와 H2O2는 솔브레인과 한솔케미칼의 주력 사업분야다. 3D DRAM의 횡방향 Capacitor 표면의 유전체 증착을 위한 ALD 수요 또한 증가할 것이다. 원익IPS, 유진테크, 주성엔지니어링 등 ALD 제조사에 관심이 필요하다.

2) Capacitor 차세대 유전 및 전극물질: 향후 5년간은 현재 DRAM의 Capacitor의 구조를 유지한 채 정전용량(Capacitance)를 극한으로 높일 가능성이 높다. 현재의 DRAM Capacitor는 ZAZ 유전막에 TiN 전극을 사용하고 있는데, 이후 유전막은 TiO2 등으로 변경되며 동시에 전극도 Ru(Ruthenium)으로 변경하기 위한 연구개발이 지속되고 있다. 전극 물질 증착과 관련해 ALD의 추가 적용 확대도 기대된다. DRAM Capacitor 소재의 측면에서는, 현재 Zr 프리커서를 양산 공급 하고 있는 업체들과, 향후 적용될 유전막인 TiO2 형성을 위한 Ti 프리커서 생산업체, 차세대 전극 물질인 Ru 프리커서 제품 라인업을 보유하고 있는 회사에 대한 관심이 필요하다.

3) Peri영역의 High-K Metal gate 적용: DRAM의 경우에는 Capacitor가 전체 작동속도의 병목으로 작용하기 때문에 Peri 영역에서의 속도 개선이 크게 중요하지 않았다. 그러나, 점차 소자의 크기가 작아지면서 Peri 트랜지스터에 High-K Metal Gate의 적용이 시작되었다. Metal Gate 부터는 High-K 물질에 대한 ALD 증착이 필요하다. HKMG에 사용되는 Gate Oxide는 주로 HfO2(하프늄 옥사이드)을 사용하기에 Hf 프리커서와 ALD 장비가 필요하다.

4) EUV 서플라이체인: 삼성전자 1Znm를 시작으로 DRAM에의 본격적인 EUV 적용이 시작되었다. EUV 도입의 의미는 장비 확보 그 자체에 그치지 않는다. Stepper 뿐만 아니라 Photoresist, Photomask, Pellicle, Inspection 등 기존 시스템과 다른 전반적인 생태계를 조성해야 하는 분야다. 관련 서플라이체인의 수혜가 예상된다.