주요 소재/부품 중국 노출도 및 해당 품목

에스앤에스텍: 30-40%/ DUV Blankmask

코미코: 32% / 세정 및 코팅, 세라믹 히터

월덱스: 31% / Si, Quartz

티씨케이: 23% / SiC Ring

케이엔제이: 20% / SiC Ring

에프에스티: 20% / DUV Pellicle, SiC Ring

한솔케미칼: 10% / BDS 프리커서, 2 차전지 바인더

TEL 차세대 극저온 식각장비 도입에 따른 선별적 수혜 

- 불화수소(HF) 가스 사용량이 증가할 것으로 전망한다. 

- 원익머트리얼즈, 티이엠씨의 수혜가 기대된다. 아르곤(Ar) 대체가능성은 향후 국내 공급망 변경 검토가 필요하다.

하프니아 NAND 기술 개발, 1000단 PB SSD 시대 도래

하프니아 강유전체 개발로 고용량 NAND(페타바이트, PB) 시장이 확대될 것으로 전망한다. 삼성전자는 6월 VLSI 2024 심포지엄에서 하프니아 강유전체 활용한 NAND 플래시 기술을 공개하고 이후 상용화 작업에 들어간다.

핵심은 강유전체 소재 개발로 1000단 1PB SSD 시장 선점이다. 삼성전자는 이미 286단 1Tb TLC NAND 양산에 성공해 2025년 400단 양산을 목표하고 있다. 데이터센터향 30TB급 SSD 수요가 증가하고 있어 소재 상용화시 PB SSD 수요도 예상 대비 빠르게 증가할 수 있다. 현재 시중 판매 최대 용량은 32TB이다.

하프니아 강유전체는 고집적도, 고내구성, 고전력효율 특징을 가지기 때문에 NAND 저장 용량 확대에 유리하다. 기존 PZT(아연, 지르코늄, 티탄) 강유전체와 달리, 1) 얇은 박막 두께로 고집적에 유리, 2) 고온(750도, 30분) 공정에서도 전원 없이 정보 저장이 가능(비휘발성), 3) 낮은 작동전압에서의 전력효율이 높다. 

지르코늄, 하프늄 업체 수혜 전망

- 솔브레인, 디엔에프, 레이크머티리얼즈, 한솔케미칼 등이 관련 소재를 공급하고 있다. 

- 하프늄은 지르코늄 생산시 부산물로 얻는 희소금속(지르코늄: 하프늄=50:1)이기 때문에 지르코늄을 생산하는 기업의 하프늄 개발 및 생산 가능성 또한 높다.

- 솔브레인은 하프늄 공동 특허권자로 2023년 10월 하이케이 전구체 전문기업 디엔에프를 인수했다. 삼성전자향 하프늄 공급 가능성을 주목할 필요가 있다. 

- 레이크머티리얼즈는 SK하이닉스향 하프늄을 공급 중이다

- 한솔케미칼은 하프늄 양산 여부는 알 수 없으나, 2023년 반기보고서에 “연구개발 결과, 하프늄 고체 전구체 4종 개발 완료”을 명시해 하프늄 경쟁력을 일정 수준 이상 확보한 것으로 판단한다

- High-K 프리커서는 절연막 증착에 사용되고 Low-K 프리커서는 배선 절연막을 형성하는데 사용된다.

- 삼성전자는 현재 High-K 프리커서를 Adeka, 디엔에프로부터 공급받고 있으며 

- SK하이닉스는 일본 Tri-chemical과 합작회사인 SK 트리켐, 유피케미칼(비상장)으로부터 공급받고 있는 것으로 파악된다. 

- Low-K 프리커서 공급 업체로는 솔브레인, 한솔케미칼, 덕산테코피아(NAND) 등이 있다.

- 2023년에는 메모리 감산 영향으로 High-K 프리커서 매출이 감소했으나 24년 하반기부터 점진적인 회복을 전망했다

- 반도체 제조사 입장에서 High-K 사용량 증가에 따른 추가 벤더 확보 니즈로 한솔케미칼 등 국내 업체들이 High-K 프리커서 벤더 진입을 준비중인 것으로 파악된다

- 온디바이스 AI는 서버 연결 없이 기기에서 AI 연산을 처리해야 한다는 것이 특징이다. 학습, 추론 및 연산이 가능한 온디바이스 AI를 스마트폰에 적용하게 되면 고용량 NAND 수요가 증가할 것으로 예상된다

- 온디바이스 AI를 구현하기 위한 로컬 LLM이 탑재되어야 하고 데이터 수집 및 보안 유지를 위해 저장용량 증가가 요구되기 때문이다

- 2023년 기준 일반서버, 추론형 AI 서버, 훈련용 AI 서버에는 각각 2.8대, 3.4대, 6.0대의 SSD가 탑재되는 것으로 파악되며 추론형 AI 서버 수요 증가에 따라 SSD 수요가 동반 상승할 전망이다.

- 2024년 4 월 280~290 단 V9 NAND, 25 년하반기 430 단 V10 NAND 양산을 시작할 것으로 예상된다.

- V9 까지는 더블 스택, V10 부터 트리플 스택이 적용될 전망이다.

- 채널홀 식각 공정이 증가하면서 하드마스크 SoC) 사용량이 증가하고 식각 장비 및 소모품 수요가 증가할 것으로 예상된다 관련 국내 수혜 업체로는 동진쎄미켐 하나머티리얼즈 티씨케이 , 솔브레인 등이 있다

- NAND 제조사들은 vertical pitch 를 줄여 스택을 최소화하기 위해 박막을 미세하게 증착할 수 있는 ALD 장비 수요가 증가할 것으로 예상된다 . 관련 국내 수혜 업체로는 원익 IPS , 유진테크 등이 있다

- 삼성전자는 400 단대의 V10 NAND 에서 극저온 식각장비 사용 Word line 몰리브덴 적용 등 여러 방안을 고민중인 것으로 파악된다

고용량 메모리 제품 비중 확대 

선단공정 비중 확대로 고용량 메모리 제품 비중도 빠르게 증가할 전망이다. D램의 경우 22년 1분기 16Gb 제품 1.1백만개에서 23년 3분기 1.6백만개로 +45% 증가했다. 낸드의 경우 1024Gb 제품의 시장 점유율이 22년 25%에서 24년 51%까지 확대될 전망이다.

이러한 선단공정 비중 확대로 D램, 낸드의 차별화된 수혜가 기대된다. D램의 경우 선폭 미세화에 따른 게이트 절연막, 캐패시터향 High-K 물질 적용 확대가 전망된다. 낸드의 경우 미세공정화에 따른 제조 Step 수 증가로 웨이퍼당 투입되는 반도체 소재량의 증가가 예상된다.

낸드: 고단화에 따른 공정 Step 수 증가 

3D 낸드의 원가를 결정하는 요소는 적층 단수이다. 그러나 단수가 높아질수록 종횡비 (어떤물체의 가로와 세로의 비)가 높아지며 싱글 스택의 한계가 발생한다. ① 끝까지 뚫지못하거나, ② 특정 부분이 넓어지거나, ③ 휘어지는 등의 문제로 수율 역시 낮아진다. 이에 따라 공급사들은 뚫는 공정을 두 번에 나누어 진행하는 더블스택 방식을 적용한다. 문제는 더블스택 방식을 적용함에 따라 공정 역시 2번 진행되어 원가가 높아진다는 것이다. 동일적층 단수 기준 싱글스택은 더블스택 대비 20~30% 낮은 원가를 갖는 것으로 추정된다. 마이크론은 64단부터, SK하이닉스는 72단부터 더블스택을 도입했으며, 삼성전자의 경우 176단부터 더블스택을 도입하였다.

메모리 가동률 회복, 낸드 고단화 제품 비중 확대에 따른 투입 소재량 급증으로 해당 메모리 소재업체들의 수혜가 예상된다. 특히 25년 양산이 계획된 300단 낸드의 경우 트리플스택 방식이 적용되어 이러한 소재량 확대 트렌드는 더욱 가속화될 전망이다. 이와 더불어 D램,낸드 선단공정 비중 확대에 따른 CMP 공정 수 확대로 관련 기업의 수혜 역시 전망된다.

D램 가동률 회복과 High-K 적용 확대 한솔케미칼 수혜 전망

한솔케미칼의 주력 제품인 과산화수소는 매출의 약 50%가 DRAM에서 발생하고 있다. 1분기부터 시작될 D램 가동률 회복의 수혜가 전망된다. 특히 동사의 새로운 성장 동력인 High-K 프리커서는 24년 하반기부터 매출에 기여할 것으로 예상된다

낸드 가동률 회복과 선단공정 비중 확대 솔브레인 수혜 전망

솔브레인의 주력 제품인 에천트는 매출의 약 60~70%가 낸드에서 발생하고 있는 것으로 추정된다. ① 하반기 낸드 가동률 본격 회복, ② 낸드 선단공정 비중 확대, ③ HBM용 CMP 슬러리 등 제품 믹스 개선에 따른 차별적 실적 수혜가 전망된다.