Memory 반도체 업황 현황 및 전망

• 최근 DDR5 현물 가격이 소폭 상승 중이며 DDR4 가격은 제품별로 상승과 하락이 혼재 중 일부 생산 업체의 1B 나노 DDR5 에서 불량이 발생함에 따라 고객 수요가 타 업체로 집중되며 현물 시장 내 DDR5 출하가 감소한 것이 DDR5 현물가격 상승의 원인인 듯

• DDR4 의 경우 극히 가격이 낮은 Recall 제품의 가격은 소폭 반등했으나 Original 제품의 가격은 하락이 지속되고 있음 중국으로부터의 수요가 여전히 약세이며 반도체 업체들의 재고가 매우 높은 상황이 이어지고 있음

• 불량 문제가 빠른 시간 내에 해결되지 못할 경우 DDR 5 현물가격의 반등이 지속될 가능성이 높음 반면 DDR 4 의 가격 하락 역시 지속될 전망

• 1Q 25 DRAM Blended ASP 는 업체별로 5%~ 15% 하락하고 NAND ASP 는 10% 가량 하락할 것으로 추정됨

• 2Q 25 고정거래가격을 예측하기는 아직 이르나 일부 업체의 공급 차질에 따라 DDR5 가격의 낙폭은 축소되고 재고가 많은 DDR4 가격의 낙폭은 확대될 가능성이 높은 것으로 판단됨 또한 2Q25 에는 HBM 판매량의 회복 정도가 전체 DRAM ASP에 큰 영향을 미칠 전망임

• 2Q 25 에는 DDR5 및 HBM 의 판매 비중에 따라 업체별 DRAM Blended ASP 가 차별화될 것으로 판단됨 2Q 25 DRAM Blended ASP 는 업체별로 3%~ 11% 하락하고 NAND ASP 는 15% 가량 하락할 것으로 추정됨

• 뒤바뀐 재고의 흐름에 따라 1Q 25 부터 메모리 반도체 업황은 하락 싸이클에 진입한 듯 1Q 25 에는 출하량이 전분기 대비 축소되고 NAND 에 이어 DRAM ASP 도 하락을 개시했으므로 메모리 반도체 시장 규모는 전분기 대비 축소될 것임 지난 7 월부터 하락하기 시작한 반도체 주가는 이번에도 업황을 6개월 가량 선행하고 있는 것으로 판단됨

• 단 일부 업체의 DDR5 HBM 생산 판매 차질에 따라 향후 DDR5 의 가격 낙폭은 우려 대비 작고 HBM 업황은 안정세를 유지할 가능성이 있으며 업체별로 분기 실적 둔화폭이 상이할 것으로 전망됨

• 미국 ISM 제조업지수는 CY 24 4 월부터 7 개월간 하락하다 11월 이후 CY 25 1 월까지 반등세를 보이고 있음 단 트럼프 정부의 고관세 정책이 실현될 경우 미국 ISM 제조업 지수의 추세 상승 전환에 부담을 줄 수 있을 것으로 보이며 미국 ISM 제조업 지수의 단기내 추세 상승은 기대하기 어려운 상황인 듯

• 미국의 정책 금리 인하에도 불구하고 높은 시장 금리가 유지됨에 따라 4Q 24 초부터 Global 유동성 YoY 증감률의 하락이 발생했음 역사적으로 Global 유동성 YoY 증감률과 유사한 모습을 보여온 반도체 주가는 3Q 24 부터 선행하며 하락 개시 경기 민감주인 반도체 주가에 미국 시장 금리의 변동은 앞으로도 큰 영향을 미칠 것으로 판단됨

• 중국 정부의 경기 부양 정책과 유동성 확대에도 불구하고 중국 Credit Impulse 지수와 M 2 YoY 증감률은 여전히 혼조세 최근 중국 정부의 이구환신 정책에 따라 IT Set 에 대한 소비자 보조금이 확대되었음 단 현재 중국 경제 상황이 지난 CY 09 시기와 크게 달라 당시와 같은 수요 개선 효과가 발생할 수 있을지 여부는 불확실

- SOCAMM은 현재 스마트폰이나 노트북에 많이 탑재되고 있는 SoC(System on Chip)와 메모리를 단일 패키지에 함께 실장한 모듈로 AI 디바이스에서 고대역폭, 저전력, 폼팩터 소형화에 대한 필요성이 대두되기 때문에 각광받고 있음

- 반면 SOCAMM은 SoC와 메모리의 물리적 거리가 가깝기 때문에 로직과 메모리간 통신 효율을 개선할 수있으며 이로 인해 고대역폭, 저지연 특성을 구현할 수 있음

- 또한 배터리를 기반으로 작동하는 AI 디바이스의 경우 AI 연산을 처리하는 과정에서 디바이스의 배터리 소모가 심해질 수 있기에 저전력 특성이 요구되는데 기존 방식(DIMM, MCP 등)을 이용할 경우에 SoC와 메모리가 PCB(Printed Circuit Board)를 통해 연결되어 있어 SoC – 메모리 컨트롤러 – PCB 트레이스 – 메모리 모듈의 복잡한 통신 과정을 거쳐 소통을 해야 함

- 위와 같이 긴 거리를 거쳐 소통해야 할 경우 높은 전압이 요구되고 이로 인해 배터리 소모가 심해지는 부정적 영향이 있음

- 반면 SOCAMM의 경우 SoC와 메모리가 SoC 내부의 메모리 컨트롤러를 통해 직접 소통하기 때문에 낮은 전압으로도 통신이 가능하며 결과적으로 배터리 소모가 적어짐

- 마지막으로 기존 방식을 사용할 경우 PCB 기판에서 메모리와 SoC 사이를 연결하는 배선 공간이 필요하기 떄문에 폼팩터가 불필요하게 커짐

- 반면 단일 패키지 내부에 SoC와 메모리를 함께 실장하면 PCB 설계가 단순화되기 때문에 폼팩터 소형화가 가능해짐

- 현재 SOCAMM이 본격적으로 채용되고 있는 상황은 아니지만 향후 채용을 위한 초반 작업이 시작된 것으로 보임

- 향후 AI 산업이 빠른 속도로 발전하고 AI 디바이스가 일상으로 침투하며 SOCAMM, LPCAMM, LLW 등이 차세대 메모리로서의 역할을 할 것으로 기대됨

- 기존 식각의 공정 온도는 0-20도인데 TEL의 극저온 식각 장비는 영하 70도에서 진행된다. 

- 극저온 환경에서는 화학적 반응이 낮아지기 때문에 passivation 막을 형성을 걱정하지 않아도 된다. 

- 즉 에칭 가스 혼합에 CF 계의 비중이 적어져도 됨을 의미하며 식각률이 높은 HF 의 비중을 높일 수 있다. 

- 에칭 가스 혼합비를 조절해 더 깊이 식각도 가능해짐과 동시에 공정 속도를 상당히 끌어 올릴 수 있게 되었다. 

- TEL에 따르면 기존 식각 장비는 7-8 마이크로미터 스택 깊이 식각에 1 시간이 소요되는 반면, TEL Cryo 장비의 경우 10 마이크로미터를 식각하는데 32.8 분 밖에 걸리지 않았다고 밝혔다.

국내 소부장 업체 중 극저온 식각 장비 낙수 효과가 뚜렷하게 나타날 수 있는 업체는 극저온 칠러와 식각용 소모품 관련 업체이다. 극저온 식각 장비는 당연히 Cooling 시스템 역할이 중요해 전용 극저온 칠러를 필요로 한다. 통상 칠러는 챔버대수에 비례하는데 극저온 식각에 붙는 챔버 수가 기존 대비 늘어날 것으로 보인다.

현재 극저온 칠러를 대응 가능한 업체는 에프에스티와 유니셈이다. 식각용 소모품 업체 중에서는 하나머티리얼즈를 주목한다.

선폭 축소로 막질의 두께도 얇아지면 막질이 무너지거나 누설이 생길 가능성이 커진다. 균일도나 단차 면에서도 막질 코팅에 더욱 민감해진다. 얇아진 막질에서도 열적 혹은 화학적 특성을 가지는 것이 박막 기술의 핵심이다. 이에 따라 선단 증착 장비 도입이 늘어나고 신규 화합물 소재에 대한 소요량도 확대되고 있다.

- 2024 년말 DRAM 내 HBM 할당 비중은 14%, 1a 이상 선단 공정 내에서 HBM 할당 비중은 35%로 전망하고 있다.

- 선단 공정 중 이미 상당 부분이 HBM 에 할당되어 있고 내년 늘어나는 TSV 증분을 고려하면 현재 Total DRAM Capa 로는 범용을 위한 DRAM Capa 가 부족해질 것으로 보인다

- 삼성전자의 경우 내년 HBM TSV 증설 계획이 공격적인 만큼 범용향 신규 투자에 대한 상향 여지도 열려있다. 

- 통상 클린룸 구축에 1.5 년 이상이 소요되는데 삼성전자는 2023 년 쉘퍼스트 전략을 통해 공간적인 여유를 확보해 놓았기 때문이다. 

- P4 도 최근 1 층 일부 파운드리 설계 구조를 DRAM 으로 변경해 내년 상반기부터 장비 PO 사이클이 본격화될 것으로 보인다. 

- SK 하이닉스의 경우, 상대적으로 공간적인 여유가 부족하다.

- 얇아지는 박막의 유전율을 높이기 위한 High-K 프리커서 채용 확대, 고단화에 따른 고선택비 소재 소요량도 점차 커지는 중이며 SiC 계 Focus Ring 전방 application 도 확대되고 있다.