2022.06.07 습식 식각과 건식 식각의 비교
[미래에셋증권 김영건] Promising Wafer: 전략 자원에 대한 기술적 접근

습식 식각의 특징은, 

1) 등방성(Isotropic): Etchant내 분자의 움직임의 방향성이 특정되지 않기 때문에 식각 대상이 노출된 모든 방향으로 식각이 진행된다. 등방성 식각이 필요한 경우도 있지만, 미세패턴 구현에 불리한 측면도 있다. 

2) 높은 선택성(Selectivity): Etchant의 화학반응에만 의존해 반응하기 때문에 대상 물질의 조성에 따라서 식각 되는 정도를 조절 가능 하다. 

3) 신속성: 액체상태의 반응이기 때문에 반응물의 밀도가 낮은 기체 반응인 건식 식각 대비 속도(Etch rate)가 빠르다. 

4) 경제성: Etchant에 대한 의존도가 높기 때문에 장비에 대한 의존도가 상대적으로 낮고 다수의 기판을 한꺼번에 처리하기 용이하기 때문에 비용 측면에서 유리한 면이 있다.


건식 식각의 특징은, 

1) 비등방성(Anisotropic): 전기장을 통해 식각 가스의 움직임을 제어할 수 있기 때문에 일부 등방성 식각은 물론, 비등방성 식각을 할 수 있다. 극성이 없는 라디칼(Radical) 반응의 경우 등방성, 극성이 있는 이온 반응의 경우 비등방성 식각이 가능하다. 

2) 낮은 선택성: 주로 직진성이 강한 식각이기 때문에 선택성이 낮은 측면이 있다. 단, 라디칼을 이용하면 건식 식각에서도 선택성 식각이 가능하다. 

3) 늦은 처리속도(Through put): 기체상태의 반응이기 때문에 반응물과의 접점이 적어 반응 속도가 느리다. 

4) 정밀성: 기체상태의 반응일 뿐만 아니라, 식각가스의 움직임을 제어할 수 있어 미세한 패턴의 구현이 가능하다. 5) 낮은 경제성: 반응물 보다는 고가의 플라즈마 장비를 이용한 반응이 많고, Through put이 낮기 때문에 비용이 많이 든다.

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