2024.2Q 분기별 매출액 성장 2024.2Q 분기별 영업이익 성장 2024.2Q 분기별 수주잔고 성장 2024.2Q 8주에 80%이상 상승 2024.2Q 신저가대비 100%이상 상승 2024.2Q 50일신고가+신저가대비 70%이상 2024.2Q 2주에 15%이상 하락
메모리에서도 후공정 기술 요구 확대 전망
그리고 4차 산업혁명을 향한 AI 요구로 메모리 반도체 업체들이 적극적으로 대응하고 있는 것 중 하나가 HBM(High Band-Width Memory)이다. HBM은 말그대로 데이터 용량을 크게 늘리면서, 대역폭을 증가시키는 것이다. 데이터를 주고 받는 입출력(I/O)을 크게 늘리는 방법으로 가능하며, TSV(Through Silicon Via) 기술을 활용해 깊은 구멍을 뚫어 전기적으로 연결한다.
HBM을 완성하기 위해서는 반드시 TSV, Si 인터포저 등 후공정 기술이 확보되어야 한다. 현재 HBM 가격은 일반 메모리보다 수 배 비싸게 형성되어 있다. HBM이 이상적이라는 평가를 받으면서도, 채용 속도가 느린 이유는 후공정 수율 때문이다. DRAM 적층 및 Si 인터포저 구현에 TSV를 적용해야 하는데, 후공정 수율이 여전히 낮은 상태다
HBM은 데이터 트래픽 급증을 요구하는 전방 서버 업체들에게 DRAM 업체들이 대응할 수 있는 이상적인 성능을 보유하고 있다. 향후 DRAM 업체들은 HBM 확대에 적극적일 것이며, HBM의 기술 목표는 성능을 향상시키면서도 후공정 관련 수율을 높이는 것이다.
TSV, 인터포저 등 후공정 기술은 DRAM 업체들에게 기술 개발에 후순위였던것이 사실이다. 비메모리 업체들 대비 메모리 업체들의 후공정 기술 개발은 상대적으로 적극적이지 않았다. 그러나 향후 메모리 산업에서 후공정 기술의 중요도가 높아질 전망이다. 메모리 뿐만 아니라 비메모리 기술도 주도하고 있는 삼성전자는 비메모리에서 습득하고 또는 준비 중인 후공정 기술을 시장 요구에 맞게 메모리에도 적용 가능할 것으로 보인다.
가 높아질 전망이다. 메모리 뿐만 아니라 비메모리 기술도 주도하고 있는 삼성전자는 비메모리에서 습득하고 또는 준비 중인 후공정 기술을 시장 요구에 맞게 메모리에도 적용 가능할 것으로 보인다.