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2022.03.03
DRAM Cell 구조 / NAND Cell 구조
[신한금융투자 최도연, 고영민, 남궁현] 한국 반도체가 나아갈 길
DRAM
- 1T / 1C 구조 (집적도 NAND보다 낮음)
- 1T1C로 구획된 cell을 지정하여 데이터 저장 가능 (random access)
- Transistor에서 흐른 전류를 Capacitor에 저장. 저장된 level를 0과 1로 구분
- 이때 DRAM의 Capacitor는 dielectric 물질인데, 이 물질은 전하를 영구적으로 저장할 수 없음. 따라서, 데이터를 원하는 상태로 유지하기 위해서는 refresh가 필요
→ DRAM은 빠르지만, 휘발성 → 주기억장치
NAND
- 1T 구조 (집적도 높음)
- Random access가 불가능. Block 단위로 Write해야 하며Write 속도 느림 (단,Read 속도는 빠름)
- Capacitor가 아닌 Transistor에 데이터 저장. 따라서 비휘발성 가능
→ NAND는 DRAM보다 느리지만, 비휘발성이고 집적도가 DRAM보다 높음 → 영구기억장치
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