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2024.3Q 분기별 매출액 성장 2024.3Q 분기별 영업이익 성장 2024.3Q 분기별 수주잔고 성장 2024.3Q 8주에 80%이상 상승 2024.3Q 신저가대비 100%이상 상승 2024.3Q 50일신고가+신저가대비 70%이상 2024.3Q 2주에 15%이상 하락
2024.3Q 분기별 매출액 성장 2024.3Q 분기별 영업이익 성장 2024.3Q 분기별 수주잔고 성장 2024.3Q 8주에 80%이상 상승 2024.3Q 신저가대비 100%이상 상승 2024.3Q 50일신고가+신저가대비 70%이상 2024.3Q 2주에 15%이상 하락
2024.05.28
AMD 3나노 수주 가능성 확대
[신영증권 박상욱] 삼성전자 파운드리 완전 럭키비키잖아?
GAAFET 개요
GAAFET(Gate All Around Field Effect Transister)은 게이트가 채널의 4 면을 둘러싸고 있는 구조의 트랜지스터로 게이트가 각각 채널의 1 면, 3 면과 접촉하는 Planar FET, FinFET 대비 게이트의 통제력이 뛰어나다. 채널은 전하가 이동하는 통로이며 게이트는 전압이 가해지는 부분이기 때문에 채널과 게이트의 접촉면이 넓다는 뜻은 이동하는 전하가 게이트의 영향력을 많이 받아 누설 전류가 적어진다는 뜻이다[도표10]
현재 TSMC 와 인텔은 FinFET 트랜지스터를 쓰고 있으며 2025 년 2nm 미만 공정부터 GAAFET을 채택할 예정이다. FinFET 과 GAAFET 은 사용되는 소재부터 장비까지 상이한 부분이 많아 삼성전자의 경쟁사들이 초기 수율을 잡는데 어려움을 겪을 것으로 전망된다. 또한 3nm 이하 파운드리 자체 난이도도 높기 때문에 이미 3nm GAAFET 양산을 시작한 삼성전자가 2nm 경쟁해서 유리할 것으로 예상된다.
