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2020.09.14
반도체 증착 방식별 특성 비교
[이베스트증권 최영산] Over the Horizon 2
증착은 웨이퍼 위에 특정한 물질을 분자 혹은 원자 단위로 일정한 두께를 가지도록 입히는 과정이다 . 일반적으로 특정 물질에 직접 에너지를 보내 증착하는 물리적 기상 증착 (PVD, Physical Vapor 과 반응 가스들의 반응으로 물질을 증착하는 화학적 기상 증착 (CVD, Chemical Vapor 으로 분류한다.
PVD의 경우 , 주로 증발법보다는 플라즈마를 이용한 Sputtering 증착을 이용하는데 , 금속막을 증착할 때 주로 사용한다 . 상대적으로 막질이 우수하고 , CVD 보다 화학물질 사용량이 적고 진공상태에서 진행하기 때문에 불순물 오염정도가 낮다는 장점이 있다.
CVD의 경우 , 가장 사용량이 많은 증착 방식이며 , 가스의 화학적 반응을 이용하기 때문에 방식이 간단하고 저렴하며 , 화학 반응식을 이용하기 때문에 선택비가 높은 장점이 있다 . 다만 화학 가스를 사용하기 때문에 불순물 오염정도가 높다는 단점이 항상 존재한다.
ALD의 경우 , 원자 단위의 증착으로 가장 박막의 S/C 나 선택비가 높고 , 원자 단위로 원하는 막을 차례로 도포하기 때문에 공정 컨트롤이 쉽다는 장점이 있다 . 그러나 역시 막을 성장시키는데 시간이 너무 많이 소요되어 throughput 이 떨어진다는 단점이 존재한다
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