1) Epitaxy 공정 증가

GAA의 Nano Wire 형성을 위해 임시 막질을 통해 구조를 형성한 이후 임시 막질을 제거하는 방식이 필요하다. 속도가 중요한 Logic의 경우는 Epitaxy를 통해 결정질 Si의 적층이 필수적이다. GAA 구조 채용에 따라 Epitaxy 장비의 수요가 늘어날 것이다, 또한, Si/SiGe박막 Epitaxy에 사용되는 Si과 Ge 프리커서의 수요 또한 증가할 것으로 예상된다

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관련기업 : 원익머트리얼즈, 레이크머트리얼즈, 오션브릿지

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※ Epitaxy

소자에의 응용을 위한 결정성장방법 중의 하나는 단결정으로 이루어진 웨이퍼 상에 얇은 박막결정을 설장시키는 것이다. 이 과정에서 기판은 그 위에 새로운 결정을 성장시키는 시드 결정이 되며, 새 결정은 기판과 같은 결정구조 및 방향성을 가진다. 이렇게 기판 웨이퍼 위에 같은 방향성을 갖는 단결정막을 기르는 기술을 epitaxial growth 또는 epitaxy라 한다.

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2) ALD 수요의 증가

존에는 FinFET 공정에서는 옹스트론 단위의 산화막 증착에 주로 ALD가 사용되었으나, GAA 구조에서는 Nano Wire 표면에 High-K 유전막 증착뿐만 아니라 Metal Gate 물질 증착을 위해서도 Step coverage가 높은 ALD가 필수적이다

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ALD장비 관련 기업 : 주성엔지니어링, 유진테크, 원익IPS

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3) Seleective Etching에 따른 Etchant 수요 증가

GAA 공정에서는 Si/SiGe 박막 증착 이후, SiGe를 선택적으로 제거하는 공정이 추가된다. HF/H2O2/H2O or CH3COOH = 1:200:3 희석액을 이용한 Wet Etching이 유력하다. 관련 Etchant의 수요 확대가 전망된다. 솔브레인(HF)과 한솔케미칼(H2O2)에 수혜가 기대되는 부분이다.

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식각액 : 솔브레인, 한솔케미칼

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4) EUV 본격화에 따른 관련 서플라이 체인 수요

통상적으로는 EUV 적용 자체의 어려움으로 인해 도입에서의 병목 현상이 소자의 발전 속도를 결정하지만, 삼성파운드리의 GAA의 경우 양산을 앞두고 있는 점을 고려하면 노광 단계에서의 고비는 넘어선 것으로 판단한다. 또한, 7nm FinFET 부터 EUV를 적용해 오고 있고, EUV 적용의 성장률이 가장 빠른 파운드리가 될 것으로 전망한다.

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파운드리 업체들의 본격적인 EUV 기반 생산경쟁까지는 불과 1년여 밖에 남지 않았다. 그 사이 삼성전자는 EUV의 수율과 가동률을 높일 수 있는 생태계를 구축해야만 하는 상황이다. 국내 EUV 밸류체인의 수혜가 예상된다. 관련 업체로는 에스엔에스텍(블랭크마스크, 펠리클), 에프에스티(펠리클), 파크시스템스(AFM 장비) 등이 대표적이다.