Before 시장: 장비업체 직납 시장. 교체수요 발생하지만, 고객사 증설이 매출의 플러스 알파

Before 시장은 장비업체들이 해당 소모품을 사용한 후 문제없이 작동하는 것, 즉 신뢰성이 중요한 시장이기 때문에 퀄을 받기까지의 시간이 최소 1~2년 가량 소요된다. 따라서 동일한 소모품을 생산할 기술력을 확보하더라도 안정적인 양산력 등을 검증 받기까지 오래 걸리기 때문에 진입장벽이 높으며, 장비사에게 퀄을 받아서 납품했다는 것 자체가 레퍼런스가 된다. 이러한 이유들로 Before 시장은 After 시장 대비 단가와 마진율이 높다

After 시장: 칩메이커 직납 시장

After 시장은 워런티 기간이 끝난 소모품을 복제해 칩메이커에 직납하는 시장으로 Before 시장 대비 단가가 저렴하다. 하지만 TAM 관점에서는 고객사의 라인이 늘어나면 늘어날수록 After 시장은 계속해서 커지는 구조이다. 따라서 After마켓은 전체 시장의 Q 성장에는 의구심이 없으나 우려가 되는 것은 단가(P)이다. 지금과 같은 다운턴에서 칩메이커가 단가 인하를 요구할 수 있기 때문이다.

1) 식각: 전공정 소모품 중 가장 빠른 교체주기 

전공정 소모품 중에 교체주기가 짧은건 식각공정에 사용되는 제품들이다. DRAM테크 노드의 미세화에 따른 종횡비 상승, NAND 단수 증가에 따라 플라즈마 주사율을 더 높여야 해 식각 환경이 계속해서 가혹해지고 있다. 즉 교체주기가 계속해서 짧아지고 있다. 타 소모품들은 보통 제품의 수명주기까지 사용되고 교체된다.

식각하고자 하는 대상들은 다양한 물질로 증착이 되어있다. 유전체(절연막, Dielectric)는 어떤 반응으로 생성하는가의 차이가 있긴하나 SiO2가 대부분이다. 유전체 식각은 Si, SiC ring을 웨이퍼 엣지 ring으로 사용한다. 전도체(Conductor) 식각은 유전체보다는 상대적으로 덜가혹한 식각 환경이고, 에칭 시 산소를 활용이 적기 때문에 쿼츠(SiO2) 기반의 소모품을 사용한다. 쿼츠 원소에 산소(O2)가 있기 때문에 산소가 포함될 시, 쿼츠링 마모 속도가 더 빨라지기 때문이다.

Si ring과 SiC ring은 어느 한 타입의 ring이 시장을 잠식하기 보다는 식각환경이 가혹해지면서 함께 성장할 것이다. SiC ring은 플라즈마 식각을 진행하는 과정에서 탄소 파티클이 떨어져 나올 수 밖에 없다. 따라서 메모리, 비메모리를 통틀어 가장 가혹한 식각 환경이라 볼 수 있는 3D NAND의 에칭 홀 형성시에는 수명이긴 SiC ring이 계속 사용될 것으로 예상한다. 반면 횡방향의 미세화가 tech migration의 중심인 DRAM 식각에는 파티클 이슈에서 자유로운 Si ring 사용이 선호될 것이다.

유전체 식각이 전도체 식각에 비해 플라즈마 RF 파워가 더 쎄기 때문에 Si, SiC ring의 교체주기가 쿼츠에 비해 상대적으로 짧다. 현재 다운턴을 지나고 있지만 업황이 돌아서면 Si, SiC ring 수요도 다시 가파르게 늘어날 것이다. Before 마켓의 하나머티리얼즈, 티씨케이, 원익QnC, After 마켓의 월덱스, 케이엔제이의 업황회복 시 수혜를 예상한다. Before 마켓은 After 대비 소모품의 단가가 비싸기 때문에 마진율이 상대적으로 높고, 이로 인해 valuation에 after 마켓 대비 프리미엄을 받는 상황이다.

2) 증착/확산: 거대한 교체 수요가 도래한다 

확산 공정시 웨이퍼를 100장 이상 끼워넣고, 쿼츠 튜브를 씌워주는 과정이 필요한데 이 때 웨이퍼가 꽂히는 소모품이 쿼츠 보트이다. 식각공정처럼 소모품의 마모가 활발히 이뤄지는 공정이 아니기 때문에 3년 정도 후에 교체를 해준다. 2020년 삼성전자/SK하이닉스의 DRAM/NAND 합산 CAPA는 110k 증가했던 것으로 추정하는데, 해당 시기에 나갔던 쿼츠 튜브, 쿼츠 보트의 교체주기가 도래하고 있다. 2021년 삼성전자/SK하이닉스의 DRAM/NAND 합산 CAPA 증가는 205k로 더 큰 교체 수요가 기다리고 있다. 업황과는 무관한 수명이 다한 교체이고, 쿼츠웨어 업체들인 원익QnC, 월덱스 등의 수혜를 예상한다.

3) 부품 세정/코팅 비즈니스: 가동률에 직접적인 영향

세정 비즈니스는 전공정 장비에 들어가는 부품들에 파티클 등 오염물이 붙게되고, 이를 습식 혹은 건식 방식으로 세척해주는 것이다. 세정과 함께 수요가 발생하는 것이 코팅이다. 코팅은 장비에 사용된 부품들이 반복되는 공정에 노출돼 마모되거나 손상된 부분을 코팅해 줌으로써 반도체 제조사 입장에서는 부품 수명 연장으로 비용절감을 가능하게 해준다. 국내에서 세정 비즈니스를 영위하는 업체는 코미코,원익QnC, 한솔아이원스, 싸이노스 등이 있다. 국내에서 코팅 비즈니스를 영위하는 회사는 코미코, 한솔아이원스 등이 있다.

세정/코팅 비즈니스는 기본적으로 고객사의 fab 가동률에 영향을 받기 때문에 전방 업황이 관련 업체들의 실적으로 이어진다. 제품 제조가 아닌 서비스 제공이어서 세정과 코팅을 위한 공장, 장비를 갖추기만 하면 영업 레버리지 효과가 크게 발생한다. 업황 부진으로 인한 실적 부침을 피할 수는 없을 것이나, 주가는 이를 이미 선반영했다는 판단이다. 따라서 고객사 가동률 회복에 따른 코미코의 실적회복을 예상한다

삼성전자의 Pivot 에 대한 당위성에 대한 근거

① 4Q22 DRAM 점유율 45%로 2019 년 이후 분기 최대치 달성

② 후발 주자들의 감산과 대규모 Capex cut 으로 점유율 하락 위험 제한적

③ 메모리 적자 사이클 진입에 따른 연결 영업적자에 대한 위험

④ 역대급 재고와 더불어 후발주자 대비 높은 재고를 보유하기 시작

⑤ 점유율 확대 전략 유지에도 업계 재편 가시성은 제한적

※ 삼성전자는 1Q23 부터 메모리 영업적자를 기록하기 시작하면서 연중 내내 메모리 사업은 영업적자를 지속할 것으로 전망된다는 점에서 점유율 확보 전략 유지에 대한 당위성은 과거 대비 낮을 수 밖에 없다

※ SK 하이닉스, 마이크론 대비 늦은 감산 결정과 예상을 하회하는 수요 상황은 삼성전자의 DRAM 재고를 경쟁사대비 높게 만들 것이다. 경쟁사들은 선제적 감산으로 2Q22 부터 재고주수의 하락이 예상되며, 삼성전자의 경우 3Q22 부터 재고주수가 하락 할 것이다.

※ 재고가 낮은 업체가 다가올 Restocking 사이클에서 상대적으로 유리할 것이라 판단한다.

- 당사는 1Q23 말 기준 삼성전자, SK 하이닉스의 DRAM 재고는 10 주 후반에 이르기 시작할 것으로 전망한다

- 통상 업계의 적정재고 수준이 3~5 주라는 점을 감안하면, 유래없이 높은 재고이다.

- 완제품 재고가 매우 높은 상황에서 전공정을 거치고 있는 웨이퍼를 즉각적으로 완제품화시킬 유인이 없다는 점에서 재공재고도 역대급 수준일 수 밖에 없다.

- 당사의 생산과 출하 변화율에 따른 DRAM 재고 시나리오에 따르면 연말까지 DRAM 재고가 10 주 이내로 하락하기 위해서는 9% 이상의 생산 감소와 9%이상의 수요 성장이 동시에 진행되어야 한다

- 2023 년 삼성전자의 생산 Flat 과 SK 하이닉스의 생산 -5% 수준의 생산 계획이 그대로 유지될 경우, DRAM재고는 연말까지 10주를 상회할 가능성이 매우 높아진다.

- 현재 시나리오라면, 2023년 DRAM가격 반등은 사실상 어렵다는 결론으로 귀결된다

긍정적 신호들 

- 최근 TSMC 등 비메모리 업체들의 실적 흐름이 바닥을 잡는 모습이다. 추세성은 지속 확인이 필요하지만, 긍정적인 현상이라 판단한다

- TSMC 실적의 핵심 변수는 ‘가격’이 아닌 ‘출하량’이라는 점에서, 고객사의 주문량이 회복되면 메모리보다 더 먼저 실적이 개선된다.

- TSMC 의 분기 기준 가동률은 3Q23부터 개선될 것으로 기대되며, 12M Fwd. EPS 컨센서스는 그 전에 상승이 가능할 것으로 판단한다.

- 현재 메모리 업황 관점에서 ‘가격’ 상승보다 ‘출하량 증가에 따른 재고 소진’이 선행되어야 한다는 점에서 TSMC 의 실적 컨센서스 반등은 긍정적 시그널이다

- DRAM 보다 빠르게 업황이 악화된 NAND 는 삼성전자를 제외한 대부분의 업체들이 현금원가에 근접하기 시작했다.

- 메모리의 전방은 동일하다는 점에서 현금원가에 근접하고 있는 NAND 가격 하락에 따른 수요의 탄력성이 소폭이나마 발현되고 있다

- DRAM 역시 1Q23 부터 삼성전자를 포함한 주요 3 사가 모두 영업적자 구간에 진입하기 시작해 현금원가와의 격차가 20~30% 수준까지 좁혀지기 시작할 것으로 판단되는데, 해당 수준은 2012 년을 마지막으로 한 번도 도달한 적이 없다

- 결국 DRAM 역시 2Q23 내 수요의 가격 탄력성이 나타나기 시작하며, 출하량의 반등 및 수출 금액의 낙폭 축소가 시작 될 것으로 전망한다.

- 2023년 하반기 및 2024 년 공급 증가에 관련이 깊은 2023년 DRAM Capex 는 2022 년 대비 큰 폭으로 감소할 것으로 전망된다

- 마이크론과 SK하이닉스는 2022 년 대비 50% 수준의 Capex cut 계획과 더불어 공급 증가에 영향을 미치는 설비투자의 경우 그 이상 감축하겠다고 발표했다. 삼성전자 역시 DRAM Capex 규모는 2022 년과 유사하지만, 설비투자 비중은 하락 할 것이라 언급했다

- 2024 년 공급 증가에 대한 우려만큼은 과거 대비 낮은 상태에서 수요 회복을 기다리게 될 것이라는 것을 의미한다.

- 장기 성장을 위한 Capex 외의 단순 생산 증가를 통한 점유율 확대 목적의 Capex 유지는 추가 가격 하락의 여지를 제공할 것이라는 점에서 Capex 는 과거 대비 더 보수적 관점에서 검토 될 가능성이 높다고 전망한다

식각은 건식/습식으로 나뉨. 건식: 특수가스 사용 습식: 에천트(식각액) 사용

식각은 건식 식각(Dry etching)과 습식 식각(Wet etching)으로 나뉜다. 건식 식각은 비등방성의 특징 때문에 정밀한 식각이 필요할 때(미세 패턴 구현) 사용된다. 장비에 식각을 위한 특수가스를 주입한 후 플라즈마, 스퍼터링 등 다양한 방법으로 식각하고자 하는 부분을 제거하는 방식이다. 건식 식각에 주로 사용되는 특수가스를 대응하는 국내업체는 SK specialty, 원익머트리얼즈, 티이엠씨, 한솔케미칼, 후성 등이 있다. 습식 식각은 액체인 에천트(Etchant)를 사용해 식각하는 방식으로 정밀한 식각 보다는 높은 선택비를 통한 많은 양의 식각을 필요로 하는 곳에 사용한다. 에천트 제조업체는 솔브레인, 이엔에프테크놀로지 등이다.

NAND: 높이 쌓는 만큼, 많이 깎아야 한다 

삼성전자와 SK하이닉스가 양산 중인 176단은 더블 스택을 채택하고 있고, 삼성전자는 128단까지 싱글스택을 고수했었다. 싱글 스택이든, 더블 스택이든 결국 3D NAND는 단수를 높이며 저장용량을 증가시키는 방향으로 발전 중이다.

3D NAND 단수 증가가 식각 소재업체들에 미치는 영향은 1) 몇 단이 쌓이든 질화막은 고선택비 식각액으로 제거해 주어야 하고, 2) 높아진 NAND 높이를 홀에칭해 줄 특수가스(Xe) 수요가 증가한다는 것이다

질화막 식각에 사용되는 고선택비 인산계 에천트는 솔브레인이 삼성전자와 SK하이닉스에 독점적 지위로 공급 중이기 때문에 지속적인 수혜를 예상한다. 92단 이상 부터는 기존에 사용하던 CF 계열의 특수가스로는 에칭 홀 형성이 어려워 Xe(제논) 가스가 주로 사용되고 있고, 원익머트리얼즈와 티이엠씨가 고객사에 공급 중이다.

GAA 공정은 Si / SiGe의 순차적 증착 및 SiGe 제거 필요

삼성전자가 3nm부터 도입할 GAA(Gate-All-Around) 구조 트랜지스터는 Si,SiGe를 순차적으로 Epitaxial 방식으로 적층하는게 첫번째 공정이다. 이후 산화막(더미 게이트)를 증착시키고 더미 게이트를 제외한 나머지 부분을 건식식각해 준다. 이후 소스와 드레인 형성을 위한 폴리실리콘을 증착해주고, 더미 게이트를 제거한 후 SiGe를 선택적으로 식각해 제거해 준다.

SiGe 증착 소재, 식각 소재 업체들의 수혜 예상 솔브레인의 수혜 폭 클 것

GAA와 FinFET 공정은 결국 Si/SiGe를 Epitaxial 방식으로 적층 해주는지의 여부에서부터 차이가 난다. Epitaxial이란 단결정 격자 상태인 웨이퍼 위에 동일하게 격자 형태로 물질을 성장시키는 것을 의미한다. SiGe층 증착을 위한 프리커서/특수가스를 제조할 수 있는 한솔케미칼, 원익머트리얼즈, 오션브릿지 등의 수혜가 기대된다. SiGe층 식각은 건식 식각과, 습식 식각 모두 다 가능하나 건식 식각의 에칭 속도와 선택비 한계로 초산계(아세트산) 에천트가 사용될 것으로 예상되며 솔브레인과 한솔케미칼의 수혜를 예상한다. SiGe 식각은 아세트산(CH3COOH), 과산화수소(H2O2), 불화수소(HF)를 섞은 에천트를 사용할 것이기 때문이다.

CVD, ALD 장비에 사용된 소재 종류에 따라 절연막(Dielectric), 금속막(전도층)을 형성할 수 있다. 반도체의 절연막으로는 산화막(SiO2)이 주로 사용되는데 형성 방법과 막질의 특성에 따라 다른 프리커서/특수가스가 사용된다. 절연막은 하고자 하는 역할은 비슷하나 사용되는 곳의 특성에 따라 물성, 명칭이 다르다. 웨이퍼 소자 간의 절연 기능을 하는 절연막을 STI(Shallow Trench Isolation), 소자 층 위에 형성된 절연막을 ILD(Inter Layer Dielectrics), 그 위의 금속배선층간의 절연 기능을 하는 절연막을 IMD(Inter Metal Dielectrics)라고 한다.

STI/ILD/IMD에 사용되는 절연막 형성을 위해 TEOS, SiH4, OMCTS 등의 프리커서가 사용된다.

게이트 절연막: 미세화에 따른 Higk-K가 필수 

게이트 절연막은 게이트에 전압이 걸리게 되면 절연막과 접촉하는 웨이퍼에 전하를 응집해주어 소스와 드레인 사이에 전하의 이동 통로인 채널을 만들어 주는 역할을 한다. 절연막이 얼마나 많은 전하를 응집할 수 있는지가 바로 반도체 성능을 결정짓는 요인 중 하나인 정전용량(Capacitance)이다. 또한 절연막은 전하가 새는 현상인 누설전류를 막는 역할을 한다. 누설전류가 많다는 것은 그만큼 칩의 전력 효율성이 떨어진다는 것이다.

높은 정전용량 확보를 위해서는 세가지 조건이 필요하다. 정전용량 공식에 따라 

1) 절연막의 면적이 넓거나 

2) 절연막의 두께가 얇거나 

3) 절연막의 유전율값 K가 높을수록 정전용량이 높아진다. 

선폭 미세화는 채널 길이의 짧아짐을 의미하기 때문에 게이트와 웨이퍼의 접촉면에 형성된 절연막의 접촉 면적도 줄어들 수밖에 없다. 또한 절연막의 두께도 이미 충분히 얇아졌기 때문에 정전용량을 높이기 위해서는 결국 유전율을 높여야 한다.

인텔은 2007년 45nm 제품부터 HKMG 구조 적용을 발표했다. 테크 노드 미세화가 계속됨에 따라 정전용량을 높이면서 누설전류를 줄이는데 한계에 봉착했기 때문이다. 당시 인텔은 HKMG는 기존 SiO2 절연막 대비해서 정전용량이 60%우수하고 누설 전류를 100배 줄이는 효과가 있다고 발표했다

현재 45nm 이하의 트랜지스터 게이터 절연막은 High-K, 그 중에서도 하프늄이 많이 사용되고 있으며 TDMAHf, HfCl4 등 다양한 프리커서가 사용되고 있다. 삼성전자향 게이트 절연막용 하프늄 프리커서는 현재 아데카가 독점적 지위로 공급 중인 것으로 파악된다.

DRAM : Capacitor 하프늄, Peri HKMG 적용, 멀티패터닝용 희생막 EUV 영향 

DRAM Capacitor 절연막용 High-K 물질은 ZrO2(지르코늄)이 주로 사용됐었고, 디엔에프, 레이크머티리얼즈 등이 고객사에 공급 중이다. 한솔케미칼, 솔브레인도 High-K 제품 라인업은 갖췄다. Capacitor 절연막용 High-K 프리커서는 지르코늄과 함께 이제는 하프늄도 같이 사용되고 있다. 테크 노드 미세화로 인해 capacitor가 얇아져 유전율을 더 높일 필요가 있었기 때문이다.

SK하이닉스는 1Znm 부터 Capacitor 절연막용 High-K에 지르코늄과 함께 하프늄을 적용한 것으로 추정되며, 향후 1a, 1b로 넘어가고 선단공정의 비중이 늘어남에 따라 하프늄 프리커서 사용량이 가파르게 늘어날 것이다. SK하이닉스향 하프늄 프리커서는 레이크머티리얼즈가 SK트리켐을 통해서 납품 중이며, 레이크머티리얼즈의 Capacitor향 하프늄 시장 확대 수혜를 예상한다.

DRAM 멀티패터닝용 희생막 수요는 단기간에 급감하진 않을 것

DIPAS, DIMAS 등은 멀티패터닝용 희생막으로 사용되는 프리커서다. 이론적으로는 DRAM의 모든 노광 공정을 EUV로 대체한다면 멀티패터닝용 희생막이 필요없지만 당장은 쉽지 않다. DRAM 공정이 진행되면서 1개 layer에 뭐가 적합한지에 대해 검증이 돼야만 EUV를 도입하는 것인데, 지금도 삼성전자는 5개 Layer, SK하이닉스는 1개 Layer 정도에 EUV를 사용하는 것으로 파악된다. 멀티패터닝용 프리커서는 한솔케미칼, 디엔에프 등이 고객사에 공급 중이다

따라서 멀티패터닝 희생막용 프리커서 시장은 향후 DRAM 노광공정에 EUV를 얼마나 적용 하느냐에 따른 잠식 정도, 그리고 DRAM 출하가 얼마나 많이 되느냐가 성장률을 좌우할 것이다

3D NAND에 사용되는프리커서 제조업체 모두의 수혜 예상

3D NAND의 산화막(SiO2), 질화막(Si3N4) 형성을 위한 프리커서로 HCDS,SiH4 등이 사용되고 있으며, NAND용 High-K에는 Al2O3가 사용되고 있다. HCDS는 덕산테코피아, 디엔에프, 한솔케미칼, 오션브릿지 등이 제조하고 있다. 3D NAND의 Gap-fill에 주로 사용되는 TriDMAS는 한솔케미칼, 레이크머티리얼즈 등이 제조하고 있다. Al2O3 형성을 위한 TMA는 레이크머티리얼즈, 오션브릿지 등이 제조하고 있다.

3D NAND 증착 공정에 사용되는 프리커서를 제조하는 업체들은 NAND 단수 증가에 따른 사용량(Q) 증가로 지속적인 매출 성장이 예상된다. 삼성전자는 현재 7세대 V NAND(176단) 양산을 시작했고, 2024년(8세대) 280단대를 거쳐 2025년(9세대)에는 300단을 건너뛰고 400단대를 양산할 가능성도 있다

저궤도 위성 등 민간 상업용 위성 수가 큰 폭으로 증가 추세 

국가별 위성 보유 수에 있어서도 미국이 약 2,800개 (실제 가동 위성 기준)로 독보적인 1위를 기록 중이며, 중국도 4년새 보유 위성수가 2배 이상 증가하며 위성 산업화에 본격적인 시동을 걸고 있다. 2021년에만 총 1,849기의 위성이 발사되었는데, 이는 민간 상업용 위성 수가 큰 폭으로 증가한 것이 가장 큰 요인으로 파악된다. 발사된 위성의 80% 이상은 상업용 통신 및 방송 위성용 위성으로 향후 3년 간 저궤도 위성통신 기반 위성 발사 수는 지속적으로 확대될 전망이다.

​초고속, 초공간 통신 서비스 제공을 위한 저궤도 위성의 역할 확대 

미래 모빌리티 산업으로 기대를 모으고 있는 UAM, 자율주행 자동차, 자율주행 선박 및 스마트팩토리 등의 완벽한 기술 구현과 더불어 안전성을 높이기 위해서는 네트워크, 지상 관제 시스템 및 사용자 간에 대규모 데이터가 지속적으로 빠르게 전송이 이루어져야 한다. 결국 공중 – 해상 – 지상을 이어줄 수 있는 초고속, 초공간 통신 서비스 제공에 저궤도 위성의 역할이 확대될 수밖에 없다. 

저궤도 위성통신의 전송속도 (업로드, 다운로드 포함)는 매년 증가하는 추이를 나타내고 있으며 지연율은 지속적으로 낮아지고 있다. 다만 최근에 들어서 Starlink의 속도가 떨어지고 있는데 이는 사용자의 증가로 인한 Heavy 트래픽이 증가가 요인인 것으로 판단된다. 이는 결국 위성통신 사용자 수가 증가하고 있음을 방증하는 지표이며, 추가 저궤도 위성 발사를 통해 향후 전송 속도는 Fixed broad에 근접할 수준까지 증가할 것으로 예상된다. 

더욱이 저궤도 위성통신은 송수신 설비의 소형화가 가능하기 때문에 자동차, 선박, 항공기, 가정용 등에 탑재가 용이하여 신규 서비스 비즈니스 창출이 이루어질 것이다. 저궤도 위성통신을 통해 기존 통신 체계가 지닌 가장 큰 문제점인 음영 지역을 해소하여 산업의 혁신을 가져올 수 있는 초고속, 초연결, 저지연 네트워크가 본격적으로 현실화 되는 시점에 놓여있다. 

반도체 소자 업체들은 HKMG에서 메탈 게이트의 낮은 융점을 해결하기 위해서 더미게이트를 생성하는 방법을 고안해냈다. 메탈게이트의 자리에 폴리실리콘으로 형성된 더미게이트를 채워 넣고 열처리 공정이 끝난 후 더미게이트를 식각하여 메탈게이트를 채워 넣는 방식이다. 이러한 방법을 RMG(Replacement Metal Gate) 또는 Gate Last라고 부른다. RMG는 증착, 식각, CMP, 세정 공정이 더 추가되기 때문에 공정 Step 수 증가에 기인한다.

반도체 소자 업체들이 High-k 유전막을 도입하면서 원자 단위의 두께로 증착 가능한 ALD(Atomic Layer Deposition)에 대한 수요도 증가했다. 기존 SiO2 유전막의 경우 실리콘을 산화시키면 됐지만 High-k절연막의 경우 두께를 최소화하기 위해 ALD로 증착해야 했기 때문이다. 2021년 기준 ALD 장비 시장 규모는 약 27억달러 수준에 달하며 ALD 장비를 생산할 수 있는 국내 업체는 원익IPS, 주성엔지니어링, 유진테크 등이 있다.

채널 길이 단축 및 게이트 폭 증가 -> MOSFET 구조 변화 촉진 

트랜지스터 Drain과 Source 사이에 전하가 움직이는 영역을 채널이라고 한다. 채널이 짧으면 짧을수록 전하가 이동할 거리도 짧아지기 때문에 트랜지스터의 성능이 향상되는 효과가 나타난다. 다만 채널의 길이가 과도하게 짧아지면서 SCE(Short Channel Effect) 현상이 발생하기 시작했다. SCE의 대표적인 예로는 Punch Through와 DIBL(Drain Induced Barrier Lowering) 등이 있다. 

High-k, SiGe 전구체 수요 증가할 전망 

High-k 소재가 비메모리에 이어 DRAM까지 채택되면서 High-k 유전막과 게이트 전구체 수요는 꾸준히 증가할 것으로 전망된다. 비메모리용 High-k 물질로는 Zr계열 소자가 주로 쓰였으나 최근에는 Hf 기반 High-k 물질이 각광 받고 있다. 반도체 전구체는 특허 문제로 인해 같은 계열의 전구체라도 업체마다 적용되는 공정과 첨가되는 물질이 상이하다. 현재는 Hf 기반에 다른 첨가제를 추가하거나 Hf을 대체할 수 있는 Al, Ta, STO, BST 등의 새로운 물질을 찾는 방향의 개발이 이루어지고 있다. DRAM Capacitor용 High-k 유전막은 ZAZ(ZrO2, Al2O3, ZrO2)구조가 채택되어 왔지만 10nm 이하 공정부터 ZrO2가 결정화되기 어려워지면서 새로운 유전막으로 ZAT (ZrO2 / Al2O3 / TiO2) 소재가 적용될 수 있을 것으로 예상된다. 국내 High-k 전구체 업체로는 디엔에프와 레이크머티리얼즈, 메카로 등이 있다. 

삼성전자가 GAAFET구조의 채널을 형성하기 위한 보조막으로 SiGe를 선택하면서 Ge 전구체 수요가 증가할 것으로 예상된다. 기존 트랜지스터의 drain과 sourse 부분에 성장되는 SiGe와 달리 GAAFET에서는 3~4개의 레이어를 형성해야 하기 때문에 사용되는 양이 더 많을 것으로 추측된다. 다만 현재 파운드리 업체 중 삼성전자만이 유일하게 3nm GAAFET 반도체를 양산하였으며, 수율도 높지 않아 단기적인 수요 증가는 기대하기 어렵다. 삼성전자의 GAAFET 수율 개선, Intel과 TSMC가 GAAFET 구조를 채택하는 시점부터 Ge 전구체 수요가 점진적인 성장을 보여줄 것으로 예상된다. 국내 Ge 전구체 생산 가능한 업체로는 레이크머티리얼즈, 원익머티리얼즈, 오션브릿지가 있다. 

(NDRC) 중국 국가발전개혁위원회(NDRC)는 2030년에 중국 천연가스 수요가 450~500Bcm에 달하여 중국 총에너지 수요에서 약 15%를 차지할 것이라고 발표함

(CPCIF) 중국석유·화학연맹(China Petroleum and Chemical Industry Federation,CPCIF)은 2023년 천연가스 수요가 점차 회복되어 전년 대비 5% 증가할 것으로 전망함.

(스촹에너지) 중국 자문기관 스촹에너지는 2023년 중국 GDP 성장률이 약 5%,글로벌 국제 유가가 배럴당 80~90달러, 그리고 포스트 코로나 시대를 맞아 천연가스 수요도 회복될 것으로 전망함

(Sinopec) 중국 Sinopec 경제기술연구원의 ‘중국 에너지 전망 2060’에 따르면 2040년 천연가스 수요는 615.5Bcm으로 피크에 도달할 것이라고 전망함.

NAVER의 비교우위는 D2C 및 C2C 영역에 있음. 

1) 검색광고와 D2C를 중심으로 한 국내광고 & 커머스 이익 창출력을 성장을 기반으로, 

2) 2023년 C2C(KREAM, Poshmark) 매출이 크게 증가해 커머스 매출 중 약 20% 비중을 점할 것으로 예상. KREAM은 지속적인 수수료의 대폭 인상(전년비 3.1배)와 거래액 성장(YoY +71.4%) 효과가 동시에 이루어지는 국면으로 2023년 2,276억원(YoY +438%)의 매출 창출을 예상하며, Poshmark는 극히 보수적으로 가정해도(2022년 매출 3.59억 달러) 2,100억원의 연결 매출 기여가 가능할 것으로 추정

- 이커머스 시장의 점유율은 2022년 기준 점유율은 쿠팡 24.5%, 네이버 23.3%, 쓱닷컴+지마켓 11.5%로 확실한 3강체제로 굳혀지고 있다.

- 2022년 온라인 쇼핑 이용자 1,800명을 대상으로 한 설문조사에서 로켓와우(39.9%), 네이버 플러스멤버십(26.7%), 스마일클럽(19.3%)의 이용률이 높게 나타났으며 그 외의 멤버십은 이용률이 미미하게 나타났다

상위사업자 수익성 개선의 시기 

온라인쇼핑 시장 성장이 둔화되고 있음에도 불구하고, 각 분야에서 일정 이상의 시장 지배력을 확보하며 과점 사업자로 등극한 이커머스 업체들은 높아진 가격결정력을 바탕으로 본격적인 수익화 구간에 진입한 것으로 판단한다.

네이버의 ‘도착보장’은 D2C 판매 채널인 ‘브랜드스토어’에 대한 머천트솔루션의 일환으로, 주문 데이터, 물류사 재고, 택배사 배송 등 다양한 데이터를 분석해 사용자에게 높은 정확도의 도착일을 보장한다. 현재는 해당 프로그램의 베타 기간으로 수수료 없이 신청 및 이용이 가능하지만, 1) 도착보장 서비스의 프로모션 기간 종료 후에는 기본 중개/판매 수수료 외의 추가적인 수수료가 부과되어 take rate 향상에 기여할 것으로 판단한다.

네이버는 도착보장 외에도 2) 1Q23부터 ‘패션타운’에 대해 스마트스토어 수준의 수수료(약3%)를 부과중으로, 이는 거래액 대비 매출 전환율을 상향할 것으로 예상한다. 기존 오프라인 백화점, 아울렛, 스트릿 매장을 통해 많이 구매되던 브랜드 셀러를 대상으로 PC 기반에서 무과금으로 운영되던 ‘쇼핑윈도우’는 디스커버리 기반의 큐레이션 개선과 함께 모바일 과금 채널인 ‘패션타운’으로 개편(1Q23)되었다. 해당 개편은 네이버 커머스 부문 중 중개/판매 매출의10% 정도 업사이드 효과가 있을 것으로 예상한다.

1. 네이버의 장기 글로벌 전략: 크로스보더 C2C 플랜 

1) D2C(=Owned Media) 서비스인 브랜드스토어를 통한 커머스 GMV와 take rate의 향상, 

2) 수수료를 부과하지 않았던 패션타운, 렌탈구독 서비스 등의 수익화, 3) 예약/주문 등 서비스 거래액의 본격적인 매출 반영과 동시에 4) 개인과 개인간의 직접 거래를 중개하는 글로벌 플랫폼을 구축하는 것이 목표다.

2020년 1월 크림의 설립을 시작으로 한국, 일본, 싱가포르, 스페인, 프랑스, 미국, 말레이시아,인도네시아 등 각국의 주요 패션 C2C 플랫폼을 확보하였다.

1) 한정판 스니커즈 등 럭셔리 영역에서는 희소가치가 높은 물품의 거래가 가능하고, 한편으로는 

2) 고가의 물품을 상대적으로 저렴한 중고가에 구매할 수 있다는 이유로 밀레니얼과 Z세대의 이용률이 높다. 이러한 이유로 글로벌 중고 의류 시장은(CAGR +16%) 전체 의류시장 (CAGR +5%)보다 빠르게 성장하여, 2026년에는 전체 시장의 13% 비중으로 확대될 것으로 전망한다

2 2023년 크림 매출 고성장 전망: 2,276억원(YoY +438%) 전망 

12월 10%까지 수수료 인상, 연간 GMV YoY +71.4%(2022년 GMV YoY +143% 추정)를 가정시 2023년 크림 매출은 2,276억원으로 YoY +438% 성장할 것으로 전망한다

솔드아웃(무신사)와 국내 리셀 시장을 양분하고 있는 리셀 플랫폼 크림(KREAM)은 과점적지위를 바탕으로, 매출 증진을 통한 수익성 개선을 위해 수수료 인상을 지속하고 있다. 2022년 4월 판매수수료 1%를 수취하기 시작한 이후 2023년 4월까지 8차례 판매 및 구매수수료 인상(2023년 4월 7%)을 진행했다. 운동화 리셀 사업을 영위하는 글로벌 피어 StockX의 경우 (판매수수료 8~10% + 구매수수료 3~5%)를 수취하고 있기 때문에 추가적인 인상 여력이 남아있는 것으로 판단한다

3. Poshmark: 신규 수입원 창출과 마케팅 효율화에 따른 수익성 개선 전망 

2023년 Poshmark 매출 3.95억 달러(YoY +9.9%), 조정 EBITDA 1.2백만 달러(YoY 흑자전환) 수준이 전망된다(Bloomberg 컨센서스 기준). 네이버가 Poshmark를 인수한 이후 

1) 신규 이용자의 유치와 관련된 과도한 대외 마케팅 활동 감소, 

2) Poshmark 내에서의 타겟팅강화를 통한 마케팅 비용 효율화가 진행중이다. 탑라인 측면에서는 글로벌 경기 성장 둔화에도 불구, 

3) 검색광고 등 광고상품 도입을 통한 신규 수입원 창출과 

4) 라이브커머스 등 신규 커머스 솔루션 활용 및 포쉬렌즈 도입에 따른 커뮤니티 활성화로 거래액 신장으로 매출의 지속성장이 가능할 것으로 예상한다.

1Q23 네이버 연결실적에 편입될 Poshmark는 북미 중고거래 C2C 플랫폼 중 가장 우수한 수익성과 현금창출력을 보이나, 

1) 미국 의류소비 성장의 둔화에 따른 매출 성장 둔화(Bloomberg 가이던스 기준 YoY +10%)와 

2) iOS 및 안드로이드 개인정보 수집 정책의 변화에 따른 마케팅 효율의 감소 영향을 받았다

북미 C2C 중고 플랫폼 중 위탁 판매 모델을 취하고 있는 ‘thredUP’이나 ‘TheRealReal’에 비해서 Poshmark는 패션 인플루언서를 중심으로 한 커뮤니티로서의 성격이 두드러져 인스타그램과 유사한 플랫폼이다. 이와 같은 커뮤니티적 성격으로 구매자가 판매자로, 다시 판매자가 구매자로 전환되는 특수한 리텐션이 자연스럽게 이루어지게 된다. 적절한커머스 솔루션이 적용되었을 때 Poshmark가 인위적인 외부마케팅을 줄이면서도 트래픽 및 거래 활성화를 유도할 수 있는 이유다.

네이버 컨텐츠: 확연해진 수익화 기조 

연간 네이버웹툰 GMV는 1.74조원(YoY +3.7%)로 보수적으로 가정하나, 해외 결제 비중 증가에 따른 글로벌 매출전환율 증가에 따라 네이버웹툰 매출

은 1.48조(YoY +39.1%)를 기록할 수 있을 것으로 기대한다

컨텐츠 부문의 전략 변화는 페이포인트의 최적화와 동시에 마케팅비용의 효율적 집행을 이끌고 있으며, 실제로 4Q22 매출 대비 마케팅비용은 14.2%를 기록했다. 따라서 Poshmark 인식 효과를 감안하더라도 2023년 매출 대비 마케팅 비용은 2022년과 동일한 15.8%로 유지 가능할 것으로 추정한다

핀테크: 온라인 가맹점 확장 지속 + 삼성페이 제휴로 성장 지속 

2023년 네이버 핀테크 부문 결제액은 59.5조원(YoY +22%), 매출은 1조 4,295억원(YoY+20.5%)를 기록할 것으로 전망한다. 국내 네이버커머스 GMV(YoY +14.9%) 성장을 기반으로 외부 가맹점을 지속 확대해 나갈 것으로 예상한다. 4Q22에 왓차, 티머니 등 대형 가맹점을 확보했듯, 온라인 영역에서 신규 가맹점을 지속 확대해 나갈 것으로 예상한다.

오프라인 영역에서는 삼성페이와의 연계를 통한 실질적인 가맹점 확장 효과가 긍정적으로 작용할 것으로 기대한다.

삼성페이는 거의 모든 오프라인 카드 가맹점에서 활용 가능한 MST 기반 서비스로, 온라인 상에서 적립된 네이버페이의 포인트의 사용처가 POS기가 설치되지 않은 네이버페이 가맹점으로도 확장된다. 따라서 1) 멤버십 락인 효과의 강화, 2) 오프라인 결제액의 증가가 가능할 것으로 기대한다.

한편 2023년은 네이버파이낸셜의 결제 외 금융서비스로의 확장이 이루어지는 해이다. 4Q22론칭한 개인 신용대출 비교 서비스는 출시 초기임에도 불구하고 업계 4위 수준으로 안착하며 높은 성장 가능성을 보이고 있다. 장기적으로 광고, 대출, 중개 비교 등 고마진 서비스 매출 비중 확대를 통해 수익성 개선에 기여할 것으로 전망한다.